Классическое магнитосопротивление использовано для определения времени релаксации tau_p двумерных электронов n-Al_xGa_1-xAs/GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Исследовались образцы с n_s=2·10¹¹/3·10¹² см^-2 при T=4.2 K и магнитном поле до 7.2 Т. Сравнивались экспериментальные зависимости магнитопроводимости с расчетной. На зависимости tau_p(B) имеются плато (в слабом поле) и участок спада. Показано, что в магнитном поле конкурируют два механизма релаксации импульса: примесный механизм и деформационный потенциал акустических фононов. Выполненные различными способами оценки подвижности согласуются между собой лишь для низкоподвижных образцов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.