Методами малосигнального численного анализа при различных частотах внешнего воздействия вычислены пространственные распределения электрического поля, концентрации носителей и плотности объемного заряда в изотипном контакте к высокоомному легированному полупроводнику, т. е. в области пространственного заряда полупроводниковой резисторной структуры с базой на основе высокоомного легированного полупроводника. Выяснено, что перезарядка примесей в контакте существенна при частотах, как правило, на несколько порядков превышающих общепринятые. Проведена физическая интерпретация полученных в работе результатов. Предложена простая формула для минимальной частоты, обратная величина которой определяет верхнюю границу характерных времен. При этих временах анализ нестационарных процессов можно проводить без учета перезарядки примесей в контакте. Полученные результаты допускают обобщения на анизотипные контакты.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.