Исследовано влияние термообработки в режиме постимплантационного отжига на объемные электрические параметры монокристаллов нелегированного и легированного индием полуизолирующего GaAs, выращенных методом Чохральского в различных условиях. Показано, что изменение условий выращивания меняет состав кристалла и соответственно характер влияния отжига на концентрацию носителей заряда. При избытке галлия в кристалле термообработка приводит к возрастанию концентрации носителей, при избытке мышьяка - к ее снижению. Установленные закономерности могут быть объяснены при условии смещения точки конгруэнтного плавления GaAs в сторону избытка мышьяка.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.