Исследованы шум 1/f и кинетика долговременной релаксации фотопроводимости в чистом эпитаксиальном GaAs. Ранее для аналогичных образцов GaAs было показано, что шум 1/f в этом материале имеет объемную природу и обусловлен флуктуациями числа носителей па уровнях "хвоста" плотности состояний вблизи зоны проводимости. В настоящей работе показано, что за долговременную релаксацию фотопроводимости ответственны те же уровни, которые вызывают шум 1/f в GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.