Дана теоретическая интерпретация процесса объемного разделения заряда в узкозонных полупроводниках при имплантации легких ионов и последующем термическом отжиге. Исследуется формирование чередующейся структуры разноименно заряженных областей за счет диффузии радиационно индуцированных дефектов разного знака заряда, имеющих различную подвижность. Профиль возникающего при этом внутреннего электрического поля может быть использован для создания высококачественных p-n-переходов в узкозонных полупроводниках.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.