Рассмотрен механизм туннельно-активационной генерации заряда в МДП структуре - активация электронов из валентной зоны на уровни поверхностных состояний и последующее туннелирование. Генерационный ток определяется редкими областями, в которых флуктуации встроенного заряда создают сильные электрические поля, уменьшающие туннельный барьер. Теория предсказывает температурную зависимость энергии активации, флуктуации генерационных токов от образца к образцу, возможность подавления генерации ионизирующим облучением. Результаты измерений времен генерации и их зависимостей от дозы облучения находятся в качественном согласии с теорией.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.