Исследовано влияние дегидрогенизации a-Si : Н на изменение под действием длительного освещения фотопроводимости и спектральной зависимости коэффициента поглощения в "дефектной" области спектра (1.0-1.5 эВ). Измерения проведены при комнатной температуре на пленках нелегированного a-Si : Н, полученных разложением моносилана в ВЧ тлеющем разряде при температуре подложки 250^oС. Дегидрогенизация осуществлялась посредством высокотемпературного отжига при T_a=280/500^oС. Оптическая деградация проводилась освещением образцов светом лампы накаливания через тепловой фильтр интенсивностью 100 мВт·см^-2 в течение 160 мин. Дегидрогенизация приводила к уменьшению относительного изменения в результате освещения фотопроводимости и поглощения в "дефектной" области. Для образцов, отожженных при T₀ >400^oС, после длительного освещения не наблюдалось увеличения поглощения. В то же время величина фотопроводимости для данных образцов существенно уменьшалась. Полученные результаты объясняются определяющей ролью слабосвязанного водорода в процессе образования при освещении дефектов типа оборванных связей, а также захватом неравновесных носителей на состояния пространственно коррелированных дефектов с отрицательной энергией корреляции с последующей их трансформацией в дефекты с положительной энергией корреляции.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.