Исследованы особенности время-разрешенных спектров фотолюминесценции пористого кремния, сформированного химическим травлением монокристаллического кремния, подвергнутого модификации лазерным излучением. На амплитудных спектрах кроме полосы с максимумом на длине волны lambda_max~=530 нм обнаружена полоса с lambda_max~=420 нм вдвое большей интенсивности. Кривые релаксации характеризуются двумя группами времен: tau₁<2·10^-8 c и 2·10^-8<tau₂<2· 10^-4 c в спектральных диапазонах 420/700 и 500/850 нм соответственно. С ростом плотности энергии лазерного облучения от ~10 до ~40 Дж·см^-2 увеличиваются интенсивность фотолюминесценции и вклад быстрой компоненты. Отличия в спектрах фотолюминесценции по сравнению со спектрами слоев пористого кремния, полученных электрохимическим травлением, связаны со сдвигом распределения размеров нанокристаллитов в сторону меньших размеров, с увеличением поверхности раздела фаз Si/SiO_x. Результаты могут быть объяснены в рамках квантово-размерной модели, при этом не исключается вклад локальных центров на границе фаз Si/SiO_x. Медленная компонента релаксации аппроксимируется "растянутой" экспонентой. Предполагается, что медленная компонента контролируется темпом ухода фотоносителей из квантово-размерных нанокристаллитов путем туннелирования через барьеры Si/SiO_x.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.