Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрические свойства гетероструктур ZnSe/GaAs (100), выращенных методом фотостимулированной газофазной эпитаксии

Поступила в редакцию: 10 марта 1995 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Эпитаксиальные слои ZnSe на GaAs (100) были выращены методом фотостимулированной газофазной эпитаксии с использованием He-Cd-лазера (мощность P~= 1 мВт/см², hnu=2.807 эВ) при температуре подложки T=(175-300)^oC. Исследованы температурные зависимости подвижности основных носителей заряда в слоях, легированных в процессе роста с применением таких источников, как AlCl₃, Zn, Al, Ga. На основании анализа кривых термостимулированного тока и термостимулированной деполяризации установлены параметры 7 глубоких локальных уровней, оказывающих существенное влияние на электрические характеристики гетероструктур.

Г.Г. Девятых, Б.В. Жук, А.А. Зленко, А.М. Прохоров, В.К. Хамылов, Г.П. Шипуло. Письма ЖТФ, 10, 118 (1984)
Б.В. Жук, И.А. Жуков, А.А. Зленко. ФТП, 19, 1405 (1985)
J. Gutowski, N. Presser, G. Kudlek. Phys. St. Sol. (a), 120, 11 (1990)
T. Yao, M. Fujimoto, S. Chang, H. Tanino. J. Cryst. Growth, 111, 823 (1991)
A. Shen, J. Cui, Y. Chen, H. Wang. J. Cryst. Growth, 111, 807 (1991)
Y. Kawakami, T. Taguchi, A. Hiraki. J. Cryst. Growth, 89, 331 (1988)
А.В. Коваленко, А.Ю. Мекекечко, Н.В. Бондарь, В.В. Тищенко, Ю.М. Щекочихин, С.М. Румянцева, И.С. Малашенко. ФТП, 26, 1251 (1992)
М.С. Бродин, Н.В. Бондарь, А.В. Коваленко, А.Ю. Мекекечко, В.В. Тищенко. Квант. электрон., 20, 619 (1993)
А.В. Коваленко, А.Ю. Мекекечко, В.В. Тищенко, Н.В. Бондарь. ФТТ, 36, 1350 (1994)
А.В. Коваленко, Р. Лиллей. Неорг. матер., 28, 49 (1992)
Н.В. Бондарь, А.В. Коваленко, В.В. Тищенко, А.Ю. Мекекечко. Неорг. матер., 27, 2520 (1991)
А.В. Коваленко, Н.Д. Борисенко. ФТП, 28, 646 (1994)
Ю.А. Гороховатский. Основы термодеполяризационного анализа (М., Наука, 1981)
Д.Н. Глебовский, А.И. Крашенниников, М.Е. Бердина, П.И. Зелихман. ЖПС, 3, 25 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель