Электрические свойства гетероструктур ZnSe/GaAs (100), выращенных методом фотостимулированной газофазной эпитаксии
Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.
Эпитаксиальные слои ZnSe на GaAs (100) были выращены методом фотостимулированной газофазной эпитаксии с использованием He-Cd-лазера (мощность P~= 1 мВт/см2, hnu=2.807 эВ) при температуре подложки T=(175-300)oC. Исследованы температурные зависимости подвижности основных носителей заряда в слоях, легированных в процессе роста с применением таких источников, как AlCl3, Zn, Al, Ga. На основании анализа кривых термостимулированного тока и термостимулированной деполяризации установлены параметры 7 глубоких локальных уровней, оказывающих существенное влияние на электрические характеристики гетероструктур.
- Г.Г. Девятых, Б.В. Жук, А.А. Зленко, А.М. Прохоров, В.К. Хамылов, Г.П. Шипуло. Письма ЖТФ, 10, 118 (1984)
- Б.В. Жук, И.А. Жуков, А.А. Зленко. ФТП, 19, 1405 (1985)
- J. Gutowski, N. Presser, G. Kudlek. Phys. St. Sol. (a), 120, 11 (1990)
- T. Yao, M. Fujimoto, S. Chang, H. Tanino. J. Cryst. Growth, 111, 823 (1991)
- A. Shen, J. Cui, Y. Chen, H. Wang. J. Cryst. Growth, 111, 807 (1991)
- Y. Kawakami, T. Taguchi, A. Hiraki. J. Cryst. Growth, 89, 331 (1988)
- А.В. Коваленко, А.Ю. Мекекечко, Н.В. Бондарь, В.В. Тищенко, Ю.М. Щекочихин, С.М. Румянцева, И.С. Малашенко. ФТП, 26, 1251 (1992)
- М.С. Бродин, Н.В. Бондарь, А.В. Коваленко, А.Ю. Мекекечко, В.В. Тищенко. Квант. электрон., 20, 619 (1993)
- А.В. Коваленко, А.Ю. Мекекечко, В.В. Тищенко, Н.В. Бондарь. ФТТ, 36, 1350 (1994)
- А.В. Коваленко, Р. Лиллей. Неорг. матер., 28, 49 (1992)
- Н.В. Бондарь, А.В. Коваленко, В.В. Тищенко, А.Ю. Мекекечко. Неорг. матер., 27, 2520 (1991)
- А.В. Коваленко, Н.Д. Борисенко. ФТП, 28, 646 (1994)
- Ю.А. Гороховатский. Основы термодеполяризационного анализа (М., Наука, 1981)
- Д.Н. Глебовский, А.И. Крашенниников, М.Е. Бердина, П.И. Зелихман. ЖПС, 3, 25 (1983)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук