Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Квазибаллистическая модель токопереноса и формирование вольт-амперной характеристики S-типа в слабо легированной двухбарьерной гетероструктуре Al_xGa_1-xAs--GaAs--AlAs

Белянцев А.М.¹, Романова Ю.Ю.¹

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 6 марта 1996 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.

PDF версия

Рассмотрена квазибаллистическая модель токопереноса в двухбарьерной гетероструктуре Al_xGa_1-xAs-GaAs-AlAs со слабо легированной ямой. Учтено рассеяние электронов в слое GaAs в X-долину, незеркальность отражения электронов от барьера AlAs и квантование энергии в предбарьерной области. Показана возможность реализации S-образной вольт-амперной характеристики в слабо легированной двухбарьерной гетероструктуре в отсутствие электрон-электронных столкновений при относительно широком барьере AlAs.

A.M. Belyantsev, E.V. Demidov, Yu.A. Romanov. Lith. J. Phys., 32, 31 (1992)
T.K. Higman, L.M. Miller et al. Appl. Phys. Lett., 53, 1623 (1988)
А.М. Белянцев, Ю.Ю. Романова. ФТП, 29, 1498 (1995)
M. Heiblum. Sol. St. Electron., 31, 617 (1988)
А. Мицкявичус, А. Реклайтис. ФТП, 20, 1693 (1986)
Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985)
W. Fawcett, A.D. Broadman, S. Swain. J. Phys. Chem. Sol., 34, 1963 (1970)
A. Wacker, E. Scholl. Appl. Phys. Lett., 59, 1702 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель