Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электротехнические неустойчивости, обусловленные метастабильными электронными состояниями в PbTe(Ga)

Акимов Б.А.¹, Брандт Н.Б.¹, Албул А.В.¹, Рябова Л.И.¹

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 26 февраля 1996 г.

Выставление онлайн: 20 января 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено феноменологическое описание электротермических неустойчивостей в высокоомных монокристаллах PbTe(Ga) при облучении образцов инфракрасным светом. Неустойчивости проявляются в виде периодических колебаний тока в цепи образца и его температуры в достаточно сильных электрических полях. Показано, что для наблюдения этих явлений важно наличие в энергетическом спектре полупроводника метастабильных электронных состояний, уровни которых расположены на расстоянии порядка 20 мэВ под дном зоны проводимости.

B.A. Akimov, A.V. Dmitriev, D.R. Khokhlov, L.I. Ryabova. Phys. St. Sol. (a), 137, 9 (1993).
С.П. Гришечкикна, А.А. Журавлев, К.-П. Моллманн, К.Х. Херрманн. ФТП, 25, 677 (1991)
А.И. Белогорохов, Е.И. Слынько, Д.Р. Хохлов. Письма ЖТФ, 18, 30 (1992)
А.Н. Васильев, Т.Н. Волошок, Ю.П. Гайдуков, Н.П. Данилова. Письма ЖЭТФ, 58, 970 (1993)
А.Н. Васильев, Б.А. Волков, Т.Н. Волошок, С.В. Кувшинников. Письма ЖЭТФ, 61, 768 (1995)
Б.А. Акимов, А.В. Албул, В.Ю. Ильин, М.Ю. Некрасов, Л.И. Рябова. ФТП, 29, 2015 (1995)
Б.А. Акимов, А.В. Албул, Л.И. Рябова. ФТП, 29, 2158 (1995)
B.A. Akimov, N.B. Brandt, B.S. Kerner, V.N. Nikiforov, S.M. Chudinov. Sol. St. Commun. 43, 31 (1982)
Ю.Г. Троян, Ф.Ф. Сизов, В.М. Лакеенков. УФЖ, 32, 467 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель