Численное моделирование явления нестабильности микроплазмы
Дацко Б.И.1
1Институт прикладных проблем механики и математики Национальной академии наук Украины, Львов, Украина
Поступила в редакцию: 9 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 20 января 1997 г.
Основные особенности явления протекания тока в виде микроплазменных импульсов подтверждены численным моделированием предложенной математической модели. Показано, что микроплазма может спонтанно возникать при наличии в области пространственного заряда p-n-структуры локальной неоднородности, а возрастание температуры структуры в результате джоулева разогрева - приводить к подавлению микроплазмы. Численно изучены кинетика микроплазменных импульсов, их форма и длительность в зависимости от приложенного напряжения и параметров полупроводниковой структуры.
- И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках (Л., Энергия, 1980)
- Р.В. Конакова, П. Кордаш, и др. Прогнозирование надежности полупроводниковых лавинных диодов, под ред. Ю.А. Тхорика (Киев, Наук. думка, 1986)
- В.В. Гафийчук, Б.И. Дацко, Б.С. Кернер, В.В. Осипов. ФТП, 24, 724 (190)
- В.А. Ващенко, Б.С. Кернер, В.В. Осипов, В.Ф. Синкевич. ФТП, 24, 2100 (1990)
- В.В. Гафийчук, Б.И. Дацко, Б.С. Кернер, В.В. Осипов. ФТП, 24, 1282 (1990)
- Б.С. Кернер, Б.В. Осипов. УФН, 157, 201 (1989)
- P.L. Hower, K.G. Reddi. IEEE Trans., Electron. Dev., ED-17, 320 (1970)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.