Слои были изготовлены электрохимическим анодным травлением неориентированных пластин CdSiAs₂ p-типа проводимости в спиртовом растворе плавиковой кислоты. Было установлено, что возникает широкая полоса фотолюминесценции с максимумом при энергии фотонов homega=1.82 эВ при 300 K, который расположен в области фундаментального поглощения объемных кристаллов CdSiAs₂. Обсуждается зависимость параметров спектров фотолюминесценции анодных слоев группы полупроводников Si, GaAs и CdSiAs₂.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.