Вышедшие номера
Фотолюминесценция анодизированных слоев CdSiAs2
Лебедев А.А.1, Рудь В.Ю.2, Рудь Ю.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 января 1997 г.

Слои были изготовлены электрохимическим анодным травлением неориентированных пластин CdSiAs2 p-типа проводимости в спиртовом растворе плавиковой кислоты. Было установлено, что возникает широкая полоса фотолюминесценции с максимумом при энергии фотонов homega=1.82 эВ при 300 K, который расположен в области фундаментального поглощения объемных кристаллов CdSiAs2. Обсуждается зависимость параметров спектров фотолюминесценции анодных слоев группы полупроводников Si, GaAs и CdSiAs2.