Термоэлектрическая добротность монополярных полупроводников ограниченных размеров
Закордонец В.С.1, Логвинов Г.Н.1
1Тернопольский государственный педагогический институт, Тернополь, Украина
Поступила в редакцию: 14 декабря 1995 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1997 г.
Теоретически исследована добротность монополярных полупроводниковых материалов с невырожденным газом носителей заряда с учетом рассогласования температур электронов и фононов, которое возникает вследствие действия на них разных поверхностных механизмов релаксации энрегии на контактах образца с термостатом. Показано, что в случае изотермических граничных условий для электронной подсистемы и адиабатических условий для фононной подсистемы термоэлектрическая добротность образца будет возрастать при уменьшении его линейных размеров, достигая максимального значения в пленках субмикронной толщины.
- Л.И. Анатычук. (Справочник Термоэлементы и термоэлектрические устройства.) (Киев. думка, 1979)
- М.Я. Грановский, Ю.Г. Гуревич. ФТП 9, 1552 (1975)
- А.И. Климовская, О.В. Снитко. Письма ЖЭТФ, 7, 194 (1968)
- А.И. Климовская. Автореф. канд. дис. (Киев, ИПАН УССР, 1972)
- З.С. Грибников, В.И. Мельников. ЖЭТФ, 51, 1909 (1966)
- Ф.Г. Басс, В.С. Бочков, Ю.Г. Гуревич. ФТП 23, 1895 (1989)
- Л.П. Булат. Автореф. докт. дис. (Л., ЛПИ, 1989)
- Г.Н. Логвинов. Изв. вузов. Физика N 9, 68 (1993)
- Ю.Г. Гуревич, Г.Н. Логвинов. ФТП, 26, 1945 (1992)
- Термоэлектрические генераторы, под ред. А.Р. Регеля (М., Атомиздат, 1976)
- Б.М. Могилевский, А.Ф. Чудновский. Теплопроводность полупроводников (М., Наука, 1972)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
