Механизмы рекомбинации в легированных кристаллах n-Hg1-xCdxTe и свойства диффузионных p+-n-переходов на их основе
Тетеркин В.В.1, Сточанский С.Я.1, Сизов Ф.Ф.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 23 мая 1996 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1997 г.
Методом диффузии As в монокристаллические подложки n-Hg1-xCdxTe изготовлены фотодиоды p+-n-типа на область длин волн 3-5 и 8-12 мкм и исследованы их электрические и фотоэлектрические характеристики. Из анализа температурных зависимостей дифференциального сопротивления и вольт-амперных характеристик следует, что при температуре 77 K преобладает генерационно-рекомбинационный механизм переноса носителей заряда. При повышении температуры проявляется также вклад диффузионной составляющей. Для диодов, имеющих длинноволновую границу фоточувствительности lambdac=~ 11.5, 10.5 и 6.0 мкм, получены значения произведения R0A=~ 0.3-1.0, 1-10 и (1-10)· 104 Ом·см2 соответственно, что указывает на возможность их работы в режиме ограниченном флуктуациями фонового излучения.
- A. Rogalski, J. Piotrowski. Prog. Quant. Electron., 12, 87 (1988)
- Фотоприемники видимого и инфракрасного диапазона, под ред. Р.Дж. Киеса (М., Радио и связь, 1985)
- Н.Л. Баженов, С.И. Гасанов, В.К. Огородников, В.И. Процык. Зарубежн. электрон. техн., вып. 8, (303) 3 (1986).
- P.R. Norton. Opt. Eng., 30, 1649 (1991)
- C.C. Wang. J. Vac. Sci. Technol., 9, 1740 (1991)
- G.N. Pultz, W. Peter, P.W. Norton, E.E. Kruger, M.B. Reine. J. Vac. Sci. Technol., 9, 1724 (1991)
- J.M. Arias, J.G. Pasko, M. Zandian, L.J. Kozlowski, R.E. DeWames. Opt. Eng., 33, 1422 (1994)
- J.M. Arias, J.G. Pasko, M. Zandian, S.H. Shin, G.M. Williams, L.O. Bubulas, R.E. DeWames, W.E. Tennant. J. Electron. Mater., 22, 1049 (1993)
- P. Gapper. J. Vac. Sci. Technol. B, 9, 1667 (1991)
- M.B. Reine, A.K. Sood, T.J. Tredwell. Protovoltaic Detectors. In: Semiconductor and Semimetals, 18, ed. by R.K. Willardson, A.C. Beer (N. Y., Academic Press, 1981)
- D. Rosenfeld, G. Bahir. IEEE Trans. Electron. Dev., 39, 1638 (1992)
- C.E. Jones, V. Nair, J. Lindquist, D.L. Polla. J. Vac. Sci. Technol., 21, 187 (1982)
- M.A. Kinch, M.J. Brau, A. Simmons. J. Appl. Phys., 44, 1649 (1993)
- D.E. Lacklison, P. Capper. Semicond. Sci. Technol., 2, 33 (1987)
- R. Dornhaus, G. Nimtz. The Properties and Applications of the Hg1-xCdxTe Alloy System. In: Springer Tracts in Modern Physics, 98, 119 (1985).
- В.И. Иванов-Омский, К.Е. Миронов, К.Д. Мынбаев, В.В. Богобоящий. ФТП, 25, 1423 (1991)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977).
- J.R. Lowney, D.G. Seiler, C.L. Littler, I.T. Yoon. J. Appl. Phys., 71, 1235 (1992)
- M.H. Weiler. Magnetooprical properties of Hg1-xCdxTe Photovoltaic Detectors. In: Semiconductor and Semimetals, 16, ed. by R.K. Willardson, A.C. Beer (N. Y., Academic Press, 1981).
- В.В. Богобоящий, А.И. Елизаров, В.А. Петряков, Ф.Ф. Сизов. Квант. электрон. (Киев), вып. 34, 70 (1988)
- J. Piotrowski. Hg1-xCdxTe Detectors. In: Infrared Photon Detectors, ed. by A. Rogalski (SPIE Optical Engineering Press, 1995)
- J. Rutkowski, A. Rogalski, J. Piotrowski, J. Pawluczyk. Proc. SPIE, 1845, (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук