Вышедшие номера
Эффект латерального переноса фотоиндуцированных носителей заряда в гетороструктуре с двумерным электронным газом
Сабликов В.А.1, Поляков С.В.2, Рябушкин О.А.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2Институт математического моделирования Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 13 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.

Показано, что неравновесные носители заряда, возникающие при локальном оптическом воздействии на гетероструктуру с двумерным электронным газом, переносится в плоскости структуры на чрезвычайно большое расстояние от места возбуждения, которое значительно превосходит длину диффузии в объеме. Эффект обусловлен тем, что генерированные светом электроны и дырки разделяются встроенным электрическим полем гетероперехода к противоположным краям буферного слоя, где они переносятся по параллельным плоскостям. Расстояние, на которое распространяется неравновесная концентрация носителей, достигает больших значений благодаря: (1) высокой проводимости двумерных электронов, (2) барьера для рекомбинации электронов и дырок и (3) дрейфу дырок в электрическом поле, создаваемом зарядом неравновесных носителей в плоскости структуры.