Инжекционное усиление фототока в поликристаллических кремниевых p+-n-n+-структурах
Алиев Р.1
1Институт электроники Академии наук Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 20 февраля 1996 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.
Исследованы процессы инжекционного усиления фототока в структурах типа p+-n-n+, изготовленных на основе поликристаллического кремния, выращенного на подложках из промышленного кремния. Обсуждены вопросы получения инжекционных фотоприемников и других бистабильных элементов с применением alpha-облучения и термообработки.
- В.К. Георгиев, Л.И. Попова, Л.Е. Поляк, Л.К. Фионова. Поверхность. Физика, химия, механика, вып. 9, 5 (1990)
- М.С. Саидов, Б.М. Абдурахманов, Р. Алиев, А.С. Саидов. ФТП. 30, 128 (1996)
- R. Aliev, B.M. Abdurakhmanov, R.R. Bilylov. Interface Sci. (1996)
- И.М. Викулин, В.И. Стафеев. Физика полупроводниковых приборов (М., Сов. радио, 1980)
- C.M. Szy. Physics of semiconductor devices (N.Y.--London--Sydney--Toronto, 1969)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук