Влияние ультразвуковой обработки на деформационные эффекты и структуру локальных центров в подложке и приконтактных областях структур M/n-n+-GaAs (M=Pt, Cr, W)
Ермолович И.Б.1, Миленин В.В.1, Конакова Р.В.1, Применко Л.Н.1, Прокопенко И.В.1, Громашевский В.Л.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 15 августа 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.
Изучено влияние ультразвуковой обработки на физико-химические, структурные и электрофизические свойства структур Pt, Cr, W/n-n+-GaAs. Показано, что ультразвуковая обработка приводит к пространственной и химической упорядоченности приконтактной области GaAs, что обусловливает уменьшение обратных токов диодных структур с барьером Шоттки. Обсуждается возможный механизм воздействия ультразвуковой обработки на структурную и химическую перестройку в контакте M/n-n+-GaAs.
- В.Л. Громашевский, В.В. Дякин, Е.А. Сальков. УФЖ, 29, 550 (1984)
- В.Л. Громашевский, В.В. Дякин, Н.С. Заяц. Тез докл. XII Всес. конф. по акустоэлектронике и квантовой акустике (Киев, 1986) ч. II, c. 35
- А.П. Здебский, В.Л. Корчная, Т.В. Торчинская, М.К. Шейнкман. Письма ЖТФ, 12, 76 (1986)
- А.П. Здебский, М.И. Лисянский, Н.Б. Лукьянчикова, М.К. Шейнкман. Письма ЖТФ, 13, 1009 (1987)
- Ю.А. Тхорик, Л.С. Хазан. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах (Киев, Наук. думка, 1983) с. 176
- В.И. Гавриленко, А.М. Греков, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987) с. 353
- L.E. Davis, N.C. Mcdonald, P.W. Palmberg, G.T. Piach, R.E. Weber. Handbook of Auger Spectroscopy (Minnesota, Physical Electronics Jucheltries, 1976) p. 195
- V.J. Kumar. Phys. Chem. Sol., 36, 535 (1975)
- О.Д. Протопопов. Обзоры по электрон. техн. Сер. 7, 10 (117), 74 (1985)
- Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов. ФТП, 2, 1441 (1968)
- О.К. Городбниченко. Высокомолекулярная пластичность и прочность эпитаксиальных структур арсенида галлия (Киев, Вища шк., 1993), с. 108
- Дж. Хирт, И. Лоте. Теория дислокаций (М. Атомиздат, 1972) с. 412
- Queisser, C.S. Fuller. J. Appl. Phys., 37, 4895 (1966)
- E.W. Williams. Phys. Rev., 168, 922 (1968)
- S.Y. Chiang, G.L. Pearson. J. Luminesc., 10, 313 (1979)
- A.S. Popov, A. Jakimova. Phys. St. Sol. (a), 51, PK17 (1979)
- Н.С. Аверкиев, Т.К. Аширов, А.А. Гуткин. ФТП, 15, 1970 (1981)
- Г.Б. Абдуллаев, Г.Д. Джафаров. Атомная диффузия в полупроводниковых структурах (М., Атомиздат, 1980) с. 221
- А.А. Акопян, З.С. Грибников, Р.В. Конакова, Ю.А. Тхорик, Ю.М. Шварц. ФТП 9, 1799 (1975)
- С.А. Груша, Ф. Дубецки, М. Дубовински, В.И. Зименко, К.А. Исмайлов, Р.В. Конакова, В.С. Лысенко, И.Н. Осиюк, О.В. Снитко, Ю.А. Тхорик, В.М. Файнберг, Л.С. Хазан. ДАН УССР (А), 1, 53 (1989)
- R.E. Vitturo, M.L. Slude, L.J. Brillson. Phys. Rev. Lett., 57, 487 (1986)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
