Изучались температурные зависимости коротковолновой квантовой эффективности фотоэлектропреобразования поверхностно-барьерных структур на основе GaAs в интервале температур 78/ 300 K и энергий фотонов 1.8/ 4.7 эВ. Показано экспериментально, что квантовая эффективность gamma возрастает с ростом температуры T; при высоких температурах зависимость gamma от T стремится к насыщению. Для объяснения температурного роста квантовой эффективности фотоэлектропреобразования в поверхностно-барьерных структурах на основе GaAs предложена модель, основанная на представлении о флуктуационных ловушках в слое объемного заряда структуры. Эта модель при достаточно хорошем согласии с экспериментом позволяет разделить зависимости квантовой эффективности от температуры и от энергии фотонов, т. е. выделить в явном виде температурную зависимость квантовой эффективности.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.