Вышедшие номера
Фотоотклик кристаллов CdxHg1-xTe, обусловленный неоднородностями состава
Вирт И.С.1, Цюцюра Д.И.1
1Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко, Дрогобыч, Украина
Поступила в редакцию: 19 февраля 1996 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1997 г.

Показано, что при освещении кристаллов CdxHg1-xTe светом с энергией фотонов, меньше ширины запрещенной зоны, возможна фотопроводимость, обусловленная генерацией электронно-дырочных пар на неоднородностях с меньшим значением состава x. Неоднородности смоделированы в виде кластерной сетки малоугловых границ блоков с повышенной скоростью рекомбинации неравновесных носителей заряда. Проведена оценка величины фотоотклика ((Delta p)) от размера кластерной сетки (rc).