Термоградиентный концентрационный эффект в биполярном полупроводнике при увлечении носителей тока фононами
Конин А.М.1
1Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 3 июня 1996 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.
Теоретически исследовано влияние "термоувлечения" электронно-дырочных пар фононами на распределения концентраций носителей тока в полупроводниковом образце при поперечном градиенте температуры решетки. Рассмотрен наиболее интересный случай максимальной ассиметрии граничных условий и толщин образца, близкой к диффузионной длине. Показано, что наличие увлечения приводит к изменению зависимости полной концентрации от координаты с возрастающей на убывающую и, наоборот, к зависимости от направления градиента температуры, а также к значительному количественному перераспределению концентрации по сечению образца.
- А.М. Конин, А.П. Сашук. ФТП (направлено в печать)
- Ю.Г. Гуревич, О.Л. Машкевич. ФТП, 24, 1327 (1990)
- Ф.Г. Басс, В.С. Бочков, Ю.Г. Гуревич. Электроны и фононы в ограниченных полупроводниках (М., 1984)
- Ф.Г. Басс, В.С. Бочков, Ю.Г. Гуревич. ФТП, 7, 3 (1973)
- В.С. Бочков, Ю.Г. Гуревич. ФТП, 17, 728 (1983)
- А.М. Конин, В.Г. Рудайтис, А.П. Сашук. Лит. физ. сб., 30, 285 (1990)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук