Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние примесного германия на свойства центров серы в кремнии
1Институт ядерной физики АН Республики Узбекистан, Улугбек, Ташкент, Узбекистан 
Поступила в редакцию: 13 марта 1996 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.
Исследовано влияние атомов германия в n-Si <P, Ge, S> на параметры центров серы. Обнаружено увеличение концентрации некоторых центров, связанных с атомами S, и небольшое смещение их локальных уровней. Обнаруженные эффекты объясняются влиянием упругих деформаций, вызванных присутствием Ge в узлах кристаллической решетки кремния, на межузельную конфигурацию S. Упругая деформация индуцирует эффект вибронного усиления в таких ян-теллеровских центрах.
- М.К. Бахадырханов, Ф.М. Талипов, У.С. Джурабеков. Письма ЖТФ, 16, 77 (1990)
- Ф.М. Талипов, Р. Хамидов. Письма ЖТФ, 19, 23 (1993)
- В.Г. Голубев, В.В. Емцев, П.М. Клингер, Г.И. Кропотов, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 26, 574 (1992)
- В.И. Кузнецов, П.Ф. Лугаков, А.Р. Салманов, А.В. Цикунов. ФТП, 23, 1492 (1989)
- М.Я. Дашевский, Д.Н. Корляков, Е.А. Ладыгин, А.М. Мусалитин, Б.А. Шилин. ФТП, 24, 2073 (1990)
- Л.И. Хируненко, В.И. Шаховцов, В.К. Шинкаренко, Л.И. Шпинар, И.И. Ясковец. ФТП, 21, 562 (1987)
- G.D. Watkins. Trans. IEEE, NS-16, 13 (1969)
- R.O. Carlson, R.N. Hall, M. Pell. J. Phys. Chem. Sol., 8, 81 (1959)
- C.W. Ludwig. Phys. Rev., 137, A1520 (1965)
- W.E. Krag, W.H. Kleiner, H.J. Zeiger, S. Fischler. J. Phys. Soc. Japan, Suppl. 21, 230 (1966)
- D.L. Camphausen, H.M. James, R.J. Sladek. Phys. Rev. B, 2, 1899 (1970)
- L.L. Rosier, C.T. Sah. Sol. St. Electron., 14, 41 (1941)
- М.С. Юнусов, Ш. Махкамов, М. Каримов. ФТП, 10, 1015 (1976)
- М.С. Юнусов, М. Каримов, Н.А. Турсунов. Радиационно-активируемые процессы в кремнии (Ташкент, Фан, 1977) с. 146
- А.А. Лебедев, А.А. Лебедев. ФТП, 17, 2152 (1983)
- H.G. Grimmeiss, M. Kleverman. J. Phys. Chem. Sol., 49, 615 (1988)
- G. Pensl, G. Roos, C. Holm, P. Wagner. Defects in Semiconductors, ed. by H.J. van Bardeleben. (Mater. Sci. Forum., v. 10--12, 1986) p. 911
- М.С. Юнусов, М. Каримов, Р.Х. Кочкаров, А.А. Каримов. ДАН УзР, 6, 22 (1991)
- Е.В. Соловьева, М.Г. Мильвидский. ФТП, 17, 2022 (1983)
- И.Б. Берсукер. Электронное строение и свойства координационных соединений (М., Мир, 1986)
- D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
- М.С. Саидов, А. Юсупов, И.Г. Атабаев. В кн.: Тез. докл. II Всес. совещ. по глубоким уровням в полупроводниках (Ташкент, 1980) с. 118
- Ш.Б. Утамурадова, Т.А. Умаров, В.Э. Рафикова, Р.М. Эргашев. В кн.: Современные проблемы физики полупроводников и диэлектриков (Ташкент, Фан, 1995) с. 87
- G.G. DeLeo, G. Watkins, W. Fowler. Phys. Rev. B, 37, 1013 (1988)
- S. Pantelides, W. Harrison, F. Yndurian. Phys. Rev. B, 34, 6038 (1986)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
