Время жизни носителей заряда в структурах на основе Hg1-xCdxTe (x=0.22), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Войцеховский А.В.1, Денисов Ю.А.1, Коханенко А.П.1, Варавин В.С.2, Дворецкий С.А.2, Либерман В.Т.2, Михайлов Н.Н.2, Сидоров Ю.Г.2
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 1 июля 1996 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.
Приводятся результаты измерений времени жизни носителей заряда в эпитаксиальных структурах на основе узкозонного Hg1-xCdxTe (x=0.22), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при импульсном возбуждении излучением на различных длинах волн. Показано, что в эпитаксиальных пленках p-типа проводимости время жизни определяется оже-механизмом рекомбинации в области температур, соответствующих примесной проводимости, а для эпитаксиальных пленок n-типа характерна рекомбинация через локальные центры.
- А.В. Войцеховский, В.Н. Давыдов. Фотоэлектрические МДП структуры из узкозонных полупроводников (Томск, Радио и связь, 1990) с. 382
- В.А. Кемарский, Н.А. Кульчицкий. В сб.: Обзорная информация. Обзор N 5207, ч. 2, с. 3 (1990)
- А.В. Войцеховский, И.И. Ижнин, Н.А. Кульчицкий, В.А. Кемарский. В сб.: Зарубежная электронная техника (М., ЦНИИ "Электроника", 1992) N 12, с. 3
- V.C. Lopes, A.G. Syllaics, N.C. Chen. Semicond. Sci. Technol., 8, 824 (1993)
- M.E. de Souza, M. Boukerche, J.P. Faurie. J. Appl. Phys., 68, 5195 (1990)
- S.N. Shin, J.M. Arias, M. Zandian, J.G. Pasko, R.E. DeWames. Appl. Phys. Lett., 59, 2718 (1991)
- В.С. Варавин, Ю.Г. Сидоров, В.Г. Ремесник, С.И. Чикичев, И.Е. Нис. ФТП, 78, 577 (1994)
- K.N. Svitashev, S.A. Dvoretsky, Yu.G. Sidorov, V.A. Shvets, A.S. Mardezhov, I.E. Nis, V.S. Varavin, V.I. Liberman, V.G. Remesnik. Cryst. Res. Technol., 29, 931 (1994)
- В.Н. Овсюк, В.В. Васильев, Т.И. Захарьяш, В.Г. Ремесник, С.В. Студеникин, Н.Х. Сусляков, Н.Х. Талипов, Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, В.И. Либерман, В.С. Варавин. ФТП, 2, 193 (1996)
- A.V. Voitsekhovskii, Yu.V. Lilenko. Phys. St. Sol. (a), 67, 381 (1981)
- А.В. Войцеховский. Изв. вузов. Физика, 37, 99 (1994)
- А.В. Войцеховский, Ю.В. Лиленко. Деп. ВИНИТИ, N 5200-81Деп., с. 36 (1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
