Влияние последовательной имплантации ионов Ag+(Cu+) и Xe+ на рекомбинационные свойства кристаллов CdxHg1-xTe
Ибрагимова М.И.1, Барышев Н.С.1, Петухов В.Ю.1, Хайбуллин И.Б.1
1Казанский физико-технический институт Российской академии наук, Казань, Россия
Поступила в редакцию: 7 августа 1996 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.
Исследовано влияние двойной последовательной имплантации ионов Ag+ (Cu+) и Xe+ на рекомбинационные свойства кристаллов CdxHg1-xTe (0.2<x=<sssim0.3). Показано, что после имплантации ионов одного химического элемента с последующим диффузионным термическим отжигом при температурах ниже 150/200 K доминирует рекомбинация через локальные уровни, расположенные на 30± 5 мэВ ниже дна зоны проводимости. Последовательная двойная имплантация ионов Ag+ (Cu+) и Xe+ с последующим диффузионным термическим отжигом изменяет ход температурной зависимости времени жизни неравновесных носителей заряда. Установлено, что для кристаллов CdxHg1-xTe с x=0.20/ 0.25 в температурном интервале 700/ 200 K время жизни неравновесных носителей заряда мало (tau<0.15 мкс) и не зависит от температуры. Для кристаллов CdxHg1-xTe с x~= 0.3 рекомбинация неравновесных носителей заряда происходит через уровни двух типов: в области температур 140/ 200 K - через глубокие уровни Et1~= Ec-51 мэВ, а с понижением температуры (77/ 140 K) - через более мелкие уровни Et2~= Ec-(16± 2) мэВ.
- R.G. Pratt, J. Hewett, P. Capper, C.L. Jones, M.J. Quelch. J. Appl. Phys., 54, 5152(1983)
- R.G. Pratt, J. Hewett, P. Capper, C.L. Jones, N. Judd. J. Appl. Phys., 60, 2377 (1986)
- D.E. Lacklison, P. Capper. Semicond. Sci. Technol., 2, 33 (1987)
- P.S. Wijewarnasuriya, M.D. Lange, S. Sivanathan, J.P. Faurie. J. Appl. Phys., 75, 1005 (1994)
- Н.С. Барышев, Б.Л. Гельмонт, М.И. Ибрагимова. ФТП, 24, 209 (1990)
- G.L. Destefanis. J. Vac. Sci. Technol. A, 3, 171 (1985)
- L.O. Bubulac, W.E. Tennant, D.S. Lo, D.D. Edwall, J.C. Robinson, J.C. Chen, G. Bostrup. J. Vac. Sci. Technol. A, 5, 3166 (1987)
- J. Baars, H. Seelewind, Ch. Fritzshe, U. Kaiser, J. Ziegler. J. Cryst. Growth, 86, 762 (1988)
- L.O. Bubulac, D.D. Edwall, D. McConnell, R.E. DeWames, E.R. Blazejewski, E.R. Gertner. Semicond. Sci. Technol., 5, N 3S, S45 (1990)
- М.И. Ибрагимова, Н.С. Барышев, И.Б. Хайбуллин, Ф.И. Ахмедова, А.П. Фадеева. ФТП, 23, 1249 (1989)
- Ф.И. Ахмедова, Н.С. Барышев, М.И. Ибрагимова, И.Б. Хайбуллин. ФТП, 21, 575 (1987)
- М.И. Ибрагимова, Н.С. Барышев, В.А. Жихарев, И.Б. Хайбуллин. ФТП, 29, 1775 (1995)
- Н.С. Барышев, М.И. Ибрагимова, И.Б. Хайбуллин. ФТП, 24, 363 (1990)
- W. Dexter. Phys. Rev., 181, 1181 (1969)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук