Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние импульсного лазерного облучения на оптические характеристики и фотопроводимость твердых растворов CdHgTe
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия 
2Государственный научно-исследовательский институт редких металлов, Москва, Россия
2Государственный научно-исследовательский институт редких металлов, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 23 сентября 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.
Путем численного моделирования процесса облучения Cd0.2Hg0.8Te наносекундными импульсами излучения рубинового лазера определен порог плавления: Wm=40/ 50 мДж/см2 при исходной температуре кристаллов T0=100 K и Wm=30/ 40 мДж/см2 при T0=300 K. Обнаружена лазерно-индуцированная модификация поверхности образца при облучении с плотностью энергии W<Wm, проявляющаяся в гашении стационарной фотопроводимости и росте коэффициента отражения. Лазерное воздействие с W выше порога плавления приводит к дальнейшему росту коэффициента отражения в области до W>~= 100 мДж/см2 и падению при W>110 мДж/см2. При надпороговом облучении зафиксировано монотонное уменьшение сигнала фотопроводимости с ростом плотности энергии излучения лазерного импульса, что может быть объяснено дефектообразованием, вызванным лазерно-индуцированным изменением состава приповерхностной области.
- А.В. Двуреченский, Г.А. Качурин, Е.В. Нидаев, Л.С. Смирнов. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов (М., Наука, 1982)
- П.В. Голошихин, К.Е. Миронов, А.Я. Поляков. Поверхность. Физика, химия, механика, N 12, 12 (1991)
- C.N. Afonso, M. Alonso, J.L.N. Neira, A.D. Sequeira, M.F. da Silva, J.C.Soares. J. Vac. Sci. Technol. A., 7, 3258 (1989)
- G. Bahir, R. Kalish. Appl. Phys. Lett., 39, 730 (1981)
- Л.А. Головань, А. Перес Наварро, П.К. Кашкаров, В.С. Куликаускас, В.Ю. Тимошенко, Н.Г. Чеченин. Поверхность. Физика, химия, механика (в печати)
- Г.Г. Громов, С.В. Серегин, С.В. Жук, В.Б. Уфимцев. Физика и химия обраб. материалов, N 4, 19 (1990)
- И.С. Вирт, А.С. Любченко, П.Е. Мозоль, В.А. Гнатюк. ФТП, 23, 1386 (1986)
- P.E. Mozol, V.V. Borsch, V.A. Gnatyuk, E.P. Kopishynskaya, A.I. Vlasenko. Semicond. Sci. Technol., 10, 61 (1995)
- П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко. Поверхность. Физика, химия, механика, N 6, 5 (1995)
- M.M. Jevtic, M.J. vScepanovic. Appl. Phys. A, 53, 332 (1991)
- L. Vina, C. Umbach, M. Cardona, L. Vodopyanov. Phys. Rev. B, 29, 6752 (1984)
- R.O. Bell, M. Toulemonde, P. Siffert. Appl. Phys., 9, 313 (1979)
- J.C. Brice, P. Capper, C.L. Jones. J. Cryst. Growth, 75, 395 (1986)
- D. Long, J.L. Schmidt. Semiconductors and Semimetals (1970) v. 5, p. 185
- K.C. Demiduk, W.G. Opyd, J.F. Gibbons, T.W. Sigmon, T.J. Magee, R.D. Ormond. J. Vac. Sci. Technol. A, 1, 1661 (1983)
- Л.А. Головань, П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко. Письма ЖТФ, 21, вып. 23, 26 (1995).
- P.K. Kashkarov, V.Yu. Timoshenko, N.G. Chechenin, A.N. Obraztsov. Laser Physics, 2, 790 (1992)
- M. vScepanovic, M. Jevtic. Phys. St. Sol. (a), 147, 379 (1995).
- Н.С. Барышев, Б.Л. Гельмонт, М.И. Ибрагимова. ФТП, 24, 209 (1990)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
