Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Свойства легировнных теллуром монокристаллов антимонида галлия, выращенных из нестехиометрического расплава

Куницын А.Е.¹, Мильвидская А.Г.², Мильвидский М.Г.², Чалдышев В.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Государственный институт редкометаллической промышленности, Москва, Россия

Поступила в редакцию: 27 декабря 1996 г.

Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована электрические и люминесцентные свойства легированных теллуром монокристаллов антимонида галлия, выращенных методом Чохральского из расплава, обогащенного галлием. Установлено, что кристаллы обладют проводимостью n-типа и сильно компенсированы. Обнаружено, что концентрация примеси теллура возрастает к концу слитка быстрее, чем концентрация компенсирующих акцепторов. Обсуждаются возможности формирования свойств монокристаллов GaSb путем использовния для выращивания нестехиометрических расплавов и последующей термообработки материала.

В.П. Гермогенов, Я.И. Отман, В.В. Чалдышев, Ю.В. Шмарцев, Л.Е. Эпиктетова. ФТП, 24, 1095 (1990)
Р.Х. Акчурин, В.А. Жегалин, В.В. Чалдышев. ФТП, 26, 1409 (1992)
C. Woelk, K.W. Benz. J. Cryst. Growth, 27, 177 (1974)
Н.Т. Баграев, А.Н. Баранов, Т.И. Воронина. Ю.Н. Толпаров, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 11, в. 2, 117 (1985)
В.М. Смирнов, А.А. Калинин, Б.Т. Бублик, А.Г. Брагинская, Г.П. Колчина, А.Н. Морозов, В.Б. Освенский. Кристаллография, 31, 615 (1986)
Н.А. Берт, А.Е. Куницын, А.Г. Мильвидская, М.Г. Мильвидский, В.В. Чалдышев. ФТП, 29, 1116 (1995)
D. Effer, P.J. Etter. J. Phys. Chem Sol., 25, 451 (1964)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель