Вышедшие номера
Диодные лазеры с раздельным электрическим и оптическим ограничением на основе InAsSb, излучающие в области 3/4 мкм
Данилова Т.Н.1, Данилова А.П.1, Ершов О.Г.1, Именков А.Н.1, Колчанова Н.М.1, Степанов М.В.1, Шерстнев В.В.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 января 1997 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.

Исследованы диодные лазеры на основе InAsSb/InAsSbP с раздельным электрическим и оптическим ограничением, излучающие в области 3/4 мкм. Более высокая рабочая температура лазеров достигается в том случае, если электрическое ограничение осуществляется с помощью гетеропереходов II типа. В лазерах этого типа интерфейсная оже-рекомбинация подавляется, экспериментальная плотность тока близка к теоретически рассчитанной для случая преобладания объемной оже-рекомбинации при температуре 180/220 K.