Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Природа центров Ec-0.37 эВ и образование высокоомных слоев в Si n-типа проводимости
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 20 декабря 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.
Методами DLTS и Ван-дер-Пау проведено исследование формирования центров Ec-0.37 эВ, ответственных за образование высокоомных слоев в облученном электронами и отожженном в температурном интервале 80/ 320oC n-Si. Анализ экспериментальных данных позволил сделать вывод о составе центров Ec-0.37 эВ ([V-O-C]) и заключить, что их формирование стимулировано потоком межузельных атомов кремния (I) и углерода (Ci) от границы раздела в объем полупроводника в процессе отжига с прохождением следующих реакций: 1) I+Cs-> Ci, Ci+[V-O]-> [V-O-C] (доминирующая реакция), 2) I+V2-> V, V+[C-O]-> [V-O-C].
- Л.С. Смирнов, С.И. Романов. ФТП, 10, 876 (1976)
- Н.Н. Герасименко, Н.П. Кибалина, В.Ф. Стась. В кн.: Радиационные эффекты в полупроводниках, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, 1979) с. 78
- А.Л. Асеев, Л.И. Федина, Д. Хеэль, Х. Барч. Скопления межузельных атомов в кремнии и германии (Новосибирск, 1991)
- Л.С. Берман, В.Б. Шуман. ФТП, 10, 1755 (1976)
- Y.H. Lee, J.W. Corbett, K.L. Brower. Phys. St. Sol. (a), 41, 637 (1977)
- B.G. Svenson, J.L. Lindstrom, J.W. Corbett. Appl. Phys. Lett., 47, 841 (1985)
- J.L. Lindstrom, B.G. Svenson. In: Mater. Sci. Forum. Defects in Semiconductors (1989) v. 38--41, p. 45
- Y.H. Lee, J.W. Corbett. Phys. Rev. B, 13, 2653 (1976)
- И.Ф. Лугаков, Т.А. Лукашевич, В.В. Шуша. ФТП, 13, 401 (1979)
- R.V. Tayke, B.J. Faraday. In: Symposium in Lattice Defects in Semiconductors (Univ. Tokyo Press., 1966) p. 170
- Э.Г. Батыев, Н.Н. Герасименко, А.В. Ефанов. ФТП, 15, 1448 (1981)
- D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
- U. Gosel. In: Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 59, 149 (1989)
- Вопросы радиационной технологии полупроводников, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, 1980)
- Gr. Davies, E.C. Lightowles, R.C. Newman, A.S. Oates. Semicond. Sci. Technol., 2, 524 (1987)
- A. Dornen, R. Sauer, G. Pensl. In: Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 59, 545 (1989)
- Л.С. Милевский, Т.М. Ткачева, А.А. Золотухин. В кн.: Межд. конф. по радиационной физике полупроводников и родственных материалов (Тбилиси, 1980) с. 350
- L.C. Kimerling. Sol. St. Commun., 16, 171 (1975)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
