Вышедшие номера
Природа центров Ec-0.37 эВ и образование высокоомных слоев в Si n-типа проводимости
Наумова О.В.1, Смирнов Л.С.1, Стась В.Ф.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 20 декабря 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.

Методами DLTS и Ван-дер-Пау проведено исследование формирования центров Ec-0.37 эВ, ответственных за образование высокоомных слоев в облученном электронами и отожженном в температурном интервале 80/ 320oC n-Si. Анализ экспериментальных данных позволил сделать вывод о составе центров Ec-0.37 эВ ([V-O-C]) и заключить, что их формирование стимулировано потоком межузельных атомов кремния (I) и углерода (Ci) от границы раздела в объем полупроводника в процессе отжига с прохождением следующих реакций: 1) I+Cs-> Ci, Ci+[V-O]-> [V-O-C] (доминирующая реакция), 2) I+V2-> V, V+[C-O]-> [V-O-C].