Механизмы прохождения тока в гетеропереходах теллурид--селенид цинка
Баранюк В.Е.1, Махний В.П.1
1Черновицкий государственный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 22 марта 1996 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1997 г.
Исследованы электрические свойства гетеропереходов туллурид-селенид цинка, полученных методом реакций твердофазного замещения. Установлено, что прямой ток определяется туннельно-рекомбинационными процессами при низких смещениях и диффузией носителей над барьером - при высоких. Начальные участки обратных ветвей вольт-амперных характеристик описываются в рамках модели туннельного прохождения носителей с участием глубоких уровней. При больших обратных смещениях наблюдается резкое увеличение тока вследствие процессов ударной ионизации.
- О.П. Вербицкий, Л.А. Косяченко, В.П. Махний, В.Д. Рыжиков. Письма ЖТФ, 14, 702 (1988)
- L.A. Kosyachenko, V.P. Makhniy. J. Cryst. Growth, 110, 523 (1991)
- В.П. Махний. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 27, 619 (1991)
- В.П. Махний Электрон. техн. Материалы, 4, (258), 30 (1991)
- Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979)
- C. Cah, R. Neyse, W. Schockley. Proc. IRE, 45, 1228 (1957)
- Н.Н. Берченко, В.Е. Креве, В.Г. Средин. Полупроводниковые твердые растворы и их применение (М., Воениздат, 1982)
- И.К. Верещагин. Электролюминесценция кристаллов (М., Наука, 1974)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук