Резонансные акцепторные состояния в одноосно-деформированных полупроводниках
Одноблюдов М.А.1, Пахомов А.А.1, Чистяков В.М.1, Яссиевич И.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 марта 1997 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.
В рамках модели потенциала нулевого радиуса рассмотрены энергии связи и времена жизни резонансных состояний, возникающих в одноосно-деформированном полупроводнике. Результаты могут быть непосредственно использованы для A+-состояний, а также для качественного анализа поведения основного состояния кулоновского акцептора в деформированном полупроводнике. Результаты численного расчета представлены для Ge и GeSi. Вычислены силы осцилляторов оптических переходов между резонансным и основным состояниями в деформированном германии.
- Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
- И.В. Алтухов, М.С. Каган, К.А. Королев, В.П. Синис. Письма в ЖЭТФ, 59, 455 (1994)
- I.V. Altukhov, E.G. Chircova, M.S. Kagan, K.A. Korolev, V.P. Sinis, I.N. Yassievich. Phys. St. Sol. (b), 198, 35 (1996)
- J.M. Luttinger, W. Kohn. Phys. Rev., 97, 869 (1955)
- А.А. Пахомов, И.Н. Яссиевич. ФТП, 27, 270 (1993)
- Landolt-Bornstein, New Series, Group III, Semiconductors (Berlin, 1989) v. 22, subvol. b
- R. Buczko. Sol. St. Commun., 93, 367 (1995)
- T. Fromhertz, E. Koppensteiner, M. Helm, G. Bauer, J.F. Nutzel, G. Abstreiter. Phys. Rev. B, 50, 15, 073 (!994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
