Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Резонансные акцепторные состояния в одноосно-деформированных полупроводниках

Одноблюдов М.А.¹, Пахомов А.А.¹, Чистяков В.М.¹, Яссиевич И.Н.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 4 марта 1997 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В рамках модели потенциала нулевого радиуса рассмотрены энергии связи и времена жизни резонансных состояний, возникающих в одноосно-деформированном полупроводнике. Результаты могут быть непосредственно использованы для A⁺-состояний, а также для качественного анализа поведения основного состояния кулоновского акцептора в деформированном полупроводнике. Результаты численного расчета представлены для Ge и GeSi. Вычислены силы осцилляторов оптических переходов между резонансным и основным состояниями в деформированном германии.

Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
И.В. Алтухов, М.С. Каган, К.А. Королев, В.П. Синис. Письма в ЖЭТФ, 59, 455 (1994)
I.V. Altukhov, E.G. Chircova, M.S. Kagan, K.A. Korolev, V.P. Sinis, I.N. Yassievich. Phys. St. Sol. (b), 198, 35 (1996)
J.M. Luttinger, W. Kohn. Phys. Rev., 97, 869 (1955)
А.А. Пахомов, И.Н. Яссиевич. ФТП, 27, 270 (1993)
Landolt-Bornstein, New Series, Group III, Semiconductors (Berlin, 1989) v. 22, subvol. b
R. Buczko. Sol. St. Commun., 93, 367 (1995)
T. Fromhertz, E. Koppensteiner, M. Helm, G. Bauer, J.F. Nutzel, G. Abstreiter. Phys. Rev. B, 50, 15, 073 (!994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель