Влияние внешнего электрического смещения на фотоэлектрические свойства кремниевых MIS/IL-структур
Буджак Я.С.1, Ерохов В.Ю.1, Мельник И.И.1
1Государственный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
Поступила в редакцию: 17 июля 1996 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.
Теоретически исследован механизм влияния внешнего электрического смещения на фотоэлектрические свойства структур Al/туннельно-тонкий SiO2/p-Si с индуцированным инверсным слоем. Особенностью рассматриваемой структуры являетс наличие специальной инверсной гребенки, между которой и подложкой прикладывается положительное напряжение. Получены соотношения, выражающие функциональную зависимость параметров структуры и выходных электрических характеристик фотоэлектрических преобразователей на ее основе от величины напряжения смещения. Представлены результаты численных расчетов, иллюстрирующие эффективность использования внешнего электрического смещения для повышения коэффициента полезного действия фотоэлектрических преобразователей на основе структур Al/SiO2/p-Si с индуцированным инверсным слоем.
- A.M. Cowley, S.M. Sze. J. Appl. Phys., 36, 3212 (1965)
- D.L. Pulfrey. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-23, 587 (1976)
- A.N. Daw, P. Chattopadhyay. Sol. St. Electron., 27, 1057 (1984)
- M.Y. Doghish, F.D. Ho. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-40, 1446 (1993)
- P. van Halen, R.P. Mertens, R.J. van Overstraeten, R.E. Thomas, J. van Meerbergen. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-25, 507 (1978)
- M.A. Green, R.B. Godfrey, M.R. Willison, A.W. Blakers. Proc. 14th IEEE Photovoltaic Spec. Conf. (N. Y., 1980) p. 684
- G.S. Salter, R.E. Thomas. Sol. St. Electron., 20, 95 (1977)
- R. Hezel, Sol. St. Electron., 24, 863 (1981)
- R. Schorner, R. Hezel. IEEE Trans. Electron Dev., 12, 1466 (1981)
- R. Hezel, K. Jaeger. J. Electrochen. Soc., 36, 518 (1989)
- P. Chattopadhyay. Sol. St. Electron., 31, 1641 (1988)
- V.Yu. Erohov, I.I. Melnyk, I.M. Rarenko. Proc., First Int. Conf. Mater. Sci. Chalcogenide and Diamond-Structure Semicond. (Chernivtsi, 1994) v. 2, p. 211.
- В.Н. Овсюк. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда (Новосибирск, 1984)
- С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
- R.N. Hall. Sol. St. Electron., 24, 595 (1981)
- А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы (М., Мир, 1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук