Вакуумным напылением из единого источника предварительно синтезированного вещества выращены тонкие пленки CuInSe₂. Получены спектры фотопроводимости пленок при комнатной температуре. Установлено, что фотопроводимость этих пленок сильно зависит от условий получения и, в особенности, от температуры источника. Обнаружены сдвиг длинноволнового края фотоактивного поглощения и эволюция спектров фотопроводимости пленок. Это влияние может быть объяснено с учетом отклонений состава конденсированной фазы от стехиометрии CuInSe₂. Установленное явление может найти применение при создании высокоэффективных тонкопленочных фотопреобразователей на основе CuInSe₂.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.