Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипного гетероперехода Pb_0.93Sn_0.07Se/PbSe

Гаврикова Т.А.¹, Зыков В.А.¹

¹Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия

Поступила в редакцию: 24 декабря 1996 г.

Выставление онлайн: 20 октября 1997 г.

PDF версия

Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства резких анизотипных гетеропереходов p-Pb_0.93Sn_0.07Se/n-PbSe с концентрациями дырок в кристалле твердого раствора 1·10¹⁶/2·10¹⁸ см^-3 и электронов в пленке PbSe 1·10¹⁷/5· 10¹⁸ см^-3, изготовленных методом вакуумной эпитаксии пленки PbSe на монокристалл твердого раствора. Определены условия приготовления резких анизотипных гетеропереходов с минимальной плотностью состояний на металлургической границе (4· 10¹⁰см^-2). Проанализированы зависимости сигнала фотоответа от концентрации носителей тока в базовых областях и особенности спектрального распределения фоточувствительности. Исследованы прямые и обратные вольт-амперные характеристики. В приближении модели идеального гетероперехода построена зонная диаграмма.

Фотоприемники видимого и ИК диапазона, под ред. Р.Ж. Киеса (М., 1985)
Ф.Ф. Сизов. Зарубеж. электрон. техн., 24, 31 (1977)
H. Preier. Infr. Phys., 18, 43 (1978)
В.П. Зломанов, А.В. Новоселова. P-T-x диаграммы состояния систем металл--халькоген (М., 1987)
Г.А. Калюжная, К.В. Киселева. Тр. ФИАН, 177, 5 (1987)
G. Nimtz, B. Schliht. Springer Tracts in Mod. Phys., 98 (1983)
T.C. Harman, I. Mendailis. Sol. St. Sci., 4, 1 (1974)
A. Lopez-Otero. Thin Sol. Films, 49, 3 (1978)
Т.А. Гаврикова, В.А. Зыков. Электрон. техн. Материалы, вып. 7, 35 (1990)
B. Bretsameter, W. Harman, H. Lane. Kristal Technik, 15, 497 (1978)
А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., 1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель