Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние интенсивности gamma-излучения на фотолюминесценцию GaAs : Te

Дубовик В.И.¹, Богданова В.А.¹, Давлеткильдеев Н.А.¹, Семиколенова Н.А.¹, Шутяк О.А.¹

¹Институт сенсорной микроэлектроники Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия

Поступила в редакцию: 5 мая 1997 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведены результаты исследований по влиянию gamma-излучения (⁶⁰Co) различной интенсивности (P_gamma~ 1.7/7.5 кГр/ч) на фотолюминесценцию (ФЛ) монокристаллов GaAs : Te (n₀=1.2/ 2.3·10¹⁸ см^-3). Наряду с известными примесной (hnu_max~1.2 эВ и(или) hnu_max~1.35 эВ ) и краевой (hnu_max~1.51 эВ) ФЛ в спектре обнаружены новые полосы hnu_max~1.3 эВ и hnu_max~ 1.48 эВ. Наблюдаемые эффекты объясняются радиационно-стимулированным упорядочением донорной примеси и глубоких примесных центров.

В.А. Богданова, Н.А. Семиколенова. ФТП, 26, 818 (1992)
В.А. Богданова, Н.А. Давлеткильдеев, В.И. Дубовик, Н.А. Семиколенова. Тез. докл. II Рос. конф. по физике полупроводников (Зеленогорск, СПб., 1996) с. 127.
V.A. Bogdanova, V.I. Dubovic, V.V. Prudnikov, N.A. Semicolenova. Int. Conf. Sol. St. Dev. and Mater. (Osaka, Japan, 1995) p. 1057.
К.Д. Глинчук, В.Ф. Коваленко, А.В. Прохорович. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., вып. 2, 46 (1991)
V.V. Prudnikov, I.A. Prudnikova, N.A. Semikolenova. Phys. St. Sol. (b), 187, 87 (1994)
В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981)
Точечные дефекты в твердых телах: Сб. статей (М., Мир, 1979)
Т.Д. Джафаров. Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках (М., Энергоатомиздат, 1991)
В.И. Вовненко, К.Д. Глинчук, К. Лукат. ФТП, 14, 1834 (1980)
P.F. Fewester. J. Phys. Chem. So., 42, 883 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель