Экспериментальные значения поляризации низкотемпературного излучения комплексов V_GaSn_Ga и V_GaSi_Ga в n-GaAs при резонансном возбуждении поляризованным светом, распространяющимся вдоль кристаллографического направления [110] и [100], сопоставлены с выражениями, полученными в классическом дипольном приближении для дефектов триклинной и моноклинной симметрии. Показано, что доля ротатора в суперпозиции ротатора и осциллятора, представляющей излучение комплекса, составляет 17/18%. Направление оси этих диполей, удовлетворяющее экспериментальным данным, согласуется с предположением, что влияние донора на вакансионные орбитали дырки, локализованной на комплексе, меньше, чем влияние эффекта Яна-Теллера. При этом симметрия комплекса может быть как моноклинной, так и триклинной. В обоих случаях отклонение оси оптического диполя комплекса от направления оси диполя изолированной V_Ga, искаженной вследствие эффекта Яна-Теллера, для комплексов V_GaSn_Ga и V_GaSi_Ga меньше, чем для комплексов V_GaTe_As. Последнее означает, что влияние донора на электронную структуру комплекса в V_GaTe_As больше, чем в V_GaSn_Ga и V_GaSi_Ga. Это согласуется с различием в положении донора в этих комплексах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.