Исследованы спектры люминесценции p-n-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при обратном смещении, достаточном для ударной ионизации. Инжекционная люминесценция светодиодов с такими структурами была изучена ранее. В активном слое InGaN гетероструктур существует сильное электрическое поле, и при малом обратном смещении преобладает туннельная составляющая тока. Лавинный пробой начинается при напряжениях V_th>8/10 В, т. е. ~3E_g (E_g - ширина запрещенной зоны), в отличие от слабо легированных структур. Спектры излучения имеют коротковолновый край, соответствующий ширине запрещенной зоны GaN (3.40 эВ), и максимумы в области 2.60/2.80 эВ, соответствующие максимумам спектров инжекционной люминесценции в активном слое. Длинноволновый край спектров в области 1.7/1.8 эВ может быть связан с глубокими уровнями рекомбинации. Обсуждаются механизмы рекомбинации горячей электронно-дырочной плазмы в сильных электрических полях p-n-гетероструктур.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.