Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
О емкостном профилировании вблизи изотипного гетероперехода
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 20 февраля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.
Предлагается метод аккуратного определения профиля основных носителей заряда вблизи изотипного гетероперехода, учитывающий различную величину диэлектрической проницаемости по разные стороны гетерограницы. Метод основан на коррекции концентрацинного профиля носителей, первоначально рассчитанного по экспериментальной вольт-фарадной характеристике.
- J.S. Rimmer, M. Missous, A.R. Peaker, Appl. Surf. Sci., 50, 149 (1991)
- M.O. Watanabe, J. Yoshida, M. Mashita, T. Nakanisi, A. Hojo. J. Appl. Phys., 57, 5340 (1985)
- Л.С. Берман. Емкостные методы исследования полупроводников (Л., Наука. 1972) с. 104
- M.A. Melnik, A.N. Pikhtin, A.V. Solomonov, V.I. Zubkov, F. Bugge. Summaries of 23 Int. Symp. on Compound Semicond. (St. Petersburg, Russia, 1996) p. 62.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
