Вышедшие номера
Межпримесное поглощение света в тонких проволоках полупроводников типа AIIIBV
Джотян А.П.1, Казарян Э.М.1, Чиркинян А.С.1
1Ереванский государственный университет, Ереван, Армения
Поступила в редакцию: 20 мая 1996 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.

Рассмотрено межпримесное поглощение света в тонких слабо легированных проволоках полупроводников типа AIIIBV с кейновским законом дисперсии носителей заряда при учете одномерного хаотического распределения примесей. Исследован ход кривой поглощения: найдено пложение максимумов поглощения, соответствующих переходам с основного акцепторного уровня на основной и первый возбужденный уровни донора в проволоке, их края и полуширины. Показано, что непараболичность, приводящая к реализации переходов между основными состояниями примеси, вызывает резкое отдаление этой линии поглощения от остальных.