Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Генерация в двухбарьерной резонансно-туннельной структуре, стабилизированная микрополосковым резонатором
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия 
Поступила в редакцию: 21 августа 1995 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.
Впервые исследована генерация в двухбарьерной резонансно-туннельной структуре на основе гетеропереходов GaAs/AlAs, стабилизированная микрополосковым резонатором. Изготовленные структуры содержат приконтактные слои (спейсеры), препятствующие проникновению примесей в активную часть структуры и улучшающие временные характеристики системы. Микрополосковые контакты из сплава AuNiGe, связывающие структуру с внешней высокочастотной цепью, изготовлены в планарном исполнении, позволяющем минимизировать время задержки RC в области отрицательной дифференциальной проводимости благодаря уменьшению последовательного сопротивления и емкости структуры. Обнаружено сложное поведение отрицательной дифференциальной проводимости, обусловленное влиянием пространственного заряда в структурах со слоями-спейсерами.
- E.R. Brown, T.C.L.G. Sollner, C.D. Parker, W.D. Goodhue, C.L. Chen. Appl. Phys. Lett., 55, 1777 (1989)
- E.R. Brown, J.R. Soderstrom, C.D. Parker, L.J. Mahoney, K.M. Molvar, T.C. McGill. Appl. Phys. Lett., 58, 2291 (1991)
- A.A. Gorbatchev, V.M. Koltyzhenkov. Proc. of Intern. Workshop on Physics and Modelling of Low-Dimensional Structures Based Devices (Aizu, Japan, 1995) p. 68.
- W.S. Truscott. Sol. St. Electron., 37, 1235 (1994)
- H.G. Roskos, M.C. Nuss, J. Shah, K. Leo, D.A.B. Miller, A.M. Fox, S. Schmitt-Rink, K. Kohler. Phys. Rev. Lett., 68, 2216 (1992)
- E.R. Brown, C.D. Parker, A.R. Calawa, M.J. Manfra. Appl. Phys. Lett., 62, 3016 (1993)
- A.A. Belouskkin, E.G. Chizhevskii, Yu.A. Efimov, A.S. Ignatyev, A.L. Karuzskii, V.N. Murzin, A.V. Perestoronin, G.K. Rasulova, A.M. Tskhovrebov. In: Abstracs of Int. Symp. "Nanostructures: physics and technology" (St.Petersburg, Russia, May--Yune 1995) p. 431
- S. Muto, T. Inata, H. Ohnishi, N. Yokoyama, S. Hiamizu. Japan. J. Appl. Phys., 25, 577 (1986).
- А.С. Игнатьев, В.Е. Каминский, В.Б. Копылов, В.Г. Мокеров, Г.З. Немцев, С.С. Шмелев, В.С. Шубин. ФТП, 26, 1795 (1992)
- А.С. Игнатьев, А.В. Каменев, В.Б. Копылов, Д.В. Посвинский. ФТП, 27, 769 (1993)
- F. Laruelle, G. Faini. Sol. St. Electron., 37, 987 (1994)
- С.А. Стоклицкий, В.Н. Мурзин, Ю.А. Митягин, В.И. Кадушкин, Ю.А. Ефимов, Г.К. Расулова. Кр. сообщ. по физике ФИАН, N 9--10, 10 (1994)
- А.В. Квит, А.Л. Карузский, В.Н. Мурзин, А.В. Пересторонин. Кр. сообщ. по физике ФИАН, N 9--10, 3 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
