Вышедшие номера
Особенности релаксации электрического поля в высокоомных сильно смещенных МДПДМ структурах с глубокими примесными уровнями
Резников Б.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 20 января 1998 г.

Численно исследована релаксация поля и тока при выключении сильно поглощаемого света в высокоомной структуре металл-диэлектрик-полупроводник (МДПДМ), содержащей значительную концентрацию глубоких примесных уровней. Установлено, что зависимость распределения поля от времени определяется соотношением времен тепловой генерации примесью электронов taun и дырок taup. В случае taun>> taup изменение поля в толще полупроводника немонотонно со временем. Дрейф фотогенерированных носителей после прекращения освещения приводит к образованию области отрицательного объемного заряда повышенной плотности и значительному росту поля вблизи анода. Его максимальная величина достигает 5/6 значений среднего поля Ee=V/d. Учет дополнительной инжекции дырок с анода приводит к возрастанию тока, ограничению максимума поля у анода и заметному ускорению релаксации поля к темновому распределению.