Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотоэлектрическая память в многослойных структурах с квантовыми ямами на основе GaAs / AlGaAs

Овсюк В.Н., Демьяненко М.А., Шашкин В.В., Торопов А.И.

Поступила в редакцию: 1 апреля 1997 г.

Выставление онлайн: 20 января 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Обнаружено возрастание темнового тока на 2/3 порядка в многослойных структурах с квантовыми ямами GaAs/Al_xGa_1-xAs при x~= 0.4 после освещения структур оптическим излучением (lambda<1.3 мкм), сохраняющееся в течение длительного времени (свыше 10³ c) при пониженных температурах и уменьшающееся вплоть до исходного значения после нагревания образца. Предложена модель барьера с локальным провисанием зоны проводимости, облегчающим туннелирование электронов. Величина провисания и ток возрастают при ионизации присутствующих в барьере локальных скоплений неконтролируемых глубоких уровней и уменьшаются в процессе захвата на них электронов зоны проводимости при нагреве образца.

B.F. Levine. J. Appl. Phys., 74, R1 (1993)
K.K. Choi, B.F. Levine, C.G. Bethea, J. Walker, R.J. Malik. Appl. Phys. Lett., 50, 1814 (1987)
B.F. Levine, C.G. Bethea, G. Hasnain, V.O. Shen, E. Pelve, R.R. Abbott, S.J. Hsieh. Appl. Phys. Lett., 56, 851 (1990)
E. Pelve, F. Beltram, C.G. Bethea, B.F. Levine, V.O. Shen, S.J. Hsieh. J. Appl. Phys., 66, 5656 (1989)
B.F. Levine, A. Zussman, J.M. Kuo, J. de Jong. J. Appl. Phys., 71, 5130 (1992)
A. Zussman, B.F. Levine, J.M. Kuo, J. de Jong. J. Appl. Phys., 70, 5101 (1991)
G.M. Williams, R.E. DeWames, C.W. Farley, R.J. Anderson. Appl. Phys. Lett., 60, 1324 (1992)
L. Pfeiffer, E.F. Schubert, K.W. West, C.W. Magee. Appl. Phys. Lett., 58, 2258 (1991)
H.C. Liu, Z.R. Wasilewski, M. Buchanan, H. Chu. Appl. Phys. Lett., 63, 761 (1993)
P.N. Brounkov, S.G. Konnikov, T. Benyattou, G. Guillot. Phys. Low-Dim. Structur., 10/11, 197 (1995)
В.Я. Алешкин, Б.Н. Звонков, Е.Р. Линькова, А.В. Мурель, Ю.А. Романов. ФТП, 27, 931 (1993)
P.M. Mooney. J. Appl. Phys., 67, R1 (1990)
H.C. Liu, A.G. Steele, M. Buchanan, Z.R. Wasilewski. J. Appl. Phys., 73, 2029 (1993)
Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика (М., Наука, 1989) гл. 7, 50
С.В. Мешков. ЖЭТФ, 91, 2252 (1986)
S. Adachi. J. Appl. Phys., 58, R1 (1985)
B.R. Nag, S. Mukhopadhyay. Phys. St. Sol. (b), 175, 103 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель