Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние ионного облучения пленок аморфного кремния на их кристаллизацию

Бахтина Н.В.¹, Машин А.И.¹, Павлов А.П.¹, Питиримова Е.А.¹

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 3 апреля 1996 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методами трансмиссионной электронной микроскопии и электронографии исследовано изменение структуры имплантированных ионами инертных газов и химически активной примеси аморфных пленок Si. Показано, что пленки Si, облученные ионами Ar⁺ и P⁺ с дозами выше 7· 10¹⁵ см^-2 не кристаллизуются вплоть до температуры 680^oC, что связано с радиационным образованием термостабильных вакансионных комплексов. Установлено, что кристаллизация пленок Si после внедрения меньших доз ионов P⁺ приводит к ускорению роста зерен в них по сравнению с необлученными пленками. Обсуждается модель механизма влияния ионного облучения на кристаллизацию пленок Si.

Л.И. Татаринова. Электронография аморфных веществ (М., Наука, 1972)
Б.К. Вайнштейн. Кристаллография, 2, 29 (1957)
А.Ф. Скрышевский. Структурный анализ жидкостей и аморфных тел: Учеб. пособие для физ. специальностей (М., Высш. шк., 1980)
Я.И. Стацив. Автореф. докт. дис. (Львов, 1985)
Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1974)
В.Н. Гордеев, А.И. Попов, В.А. Филиков. Неорг. матер., 16, 1733 (1980)
R. Grigorovici, R. Manaila. Thin Sol. Film., 1, 343 (1967)
M.V. Coleman, D.J.D. Thomas. Phys. St. Sol., 25, 241 (1968)
Е.И. Соколов, Е.П. Приходько, С.П. Павлов, И.В. Коробов. Электрон. техн. Материалы, вып. 1, 241 91977)
Н.Н. Герасименко, А.В. Двуреченский, Г.П. Лебедев. ФТП, 7, 2297 (1973)
Н.Н. Герасименко, В.Б. Глазман, А.В. Двуреченский. ФТП, 9, 1734 (1975)
Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплантированных примесей (Минск, Изд-во БГУ, 1980)
Д.И. Миркин. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов (М., Физматгиз, 1961)
Точечные дефекты в твердых телах. Сб. статей (М., Мир, 1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель