Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние исходного уровня легирования бором на его распределение, возникающее при термообработке в облученном ионами бора кремнии

Ободников В.И.¹, Тишковский Е.Г.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 28 января 1997 г.

Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом масс-спектрометрии вторичных ионов исследована зависимость пространственного распределения бора, возникающего в облученном ионами B⁺ кремнии в результате отжига при температуре 900^oC, от исходной концентрации бора в диапазоне (1/9)·10¹⁹ см^-3. Установлено, что если исходная концентрация бора превышает предельную растворимость для используемой температуры отжига, то на концентрационных профилях примеси вблизи границ разупорядоченной облучением области возникают два дополнительных максимума. Предполагается, что их образование связано с кластеризацией избытка межузельных атомов примеси, не встроившегося в узлы после вытеснения атомов бора из узловых положений собственными междоузлиями, выходящими из разупорядоченной области.

А.М. Мясников, В.И. Ободников, В.Г. Серяпин, Е.Г. Тишковский, Б.И. Фомин, Е.И. Черепов. Письма ЖЭТФ, 60, Вып. 2, 96 (1994)
А.М. Мясников, В.И. Ободников, В.Г. Серяпин, Е.Г. Тишковский, Б.И. Фомин, Е.И. Черепов. ФТП, 31, 338 (1997)
W.K. Hofker, H.W. Werner, D.P. Oosthoek, H.A.M. de Grefte. Appl. Phys., 2, 265 (1973)
H. Ryssel, K. Muller, K. Haberger, R. Henkelmann, F. Jahnel. Appl. Phys., 22, 35 (1980)
V.E. Borisenko, S.G. Yudin. Phys. St. Sol. (a), 101, 123 (1987)
M.G. Dowsett, E.A. Clark, M.N. Lewis. Proc 6th Int. Conf. SIMS-VI (1988) p. 725
G.D. Watkins. Radiation Damage in Semiconductors (Dunod, Paris, 1964) p. 97
G. Watkins. In: Lattice Defects in Semicond. [Conf. Ser. N 23. (Inst. Phys. London--Bristol, 1975)] p. 1

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель