Особенности процесса дефектообразования в Pb1-xSnxSe (x =< 0.06)
Вейс А.Н.1, Суворова Н.А.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 6 октября 1997 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.
Исследованы спектральные зависимости коэффициента поглощения в нелегированном p-Pb1-xSnxSe (x=0.00/ 0.06) при T=300 K. Во всех исследованных образцах выявлен квазилокальный уровень, связанный с вакансией халькогена. Показано, что концентрация вакансий халькогена заметно различается в образцах с оловом и без олова и возрастает при увеличении x. Обсуждается природа этого явления.
- Л.В. Прокофьева, М.Н. Виноградова, С.В. Зарубо. ФТП, 14, 2201 (1980)
- Л.В. Прокофьева, Е.А. Гуриева, К.Г. Гарцман, Ш.М. Жумаксанов, С.В. Зарубо, Х.Р. Майлина, К.Т. Уразбаева. Препринт N 1049, ФТИ им.А.Ф. Иоффе РАН (Л., 1986)
- Ю.А. Дегтярев, П.П. Константинов, Х.Р. Майлина, Л.В. Прокофьева. ФТП, 23, 1576 (1989)
- Л.В. Прокофьева, С.В. Зарубо, Ф.С. Насрединов, П.П. Серегин. Письма ЖЭТФ, 33, 14 (1981)
- Ф.С. Насрединов, Л.В. Прокофьева, П.П. Серегин, ЖЭТФ, 87, 951 (1984)
- А.Н. Вейс, Н.А. Суворова. ФТП, 29, 278 (1995)
- А.Н. Вейс, Е.А. Гуриева, О.Г. Нефедов, Л.В. Прокофьева. ФТП, 18, 1723 (1984)
- Г.Т. Алексеева, Е.А. Гуриева, П.П. Константинов, Н.В. Максимова, Л.В. Прокофьева. ФТП, 29, 1388 (1995)
- А.Н. Вейс, Н.А. Суворова. ФТП, 30, 2089 (1996)
- Л.И. Бытенский, В.И. Кайданов, Р.Б. Мельник, С.А. Немов, Ю.И. Равич. ФТП, 14, 74 (1980)
- Т.Г. Поташевская, Н.С. Целищева. Тр. ЛПИ, 325, 111 (1971)
- А.Н. Вейс, Р.Ф. Кутейников, С.А. Кумзеров, Ю.И. Уханов. ФТП, 10, 2218 (1976)
- А.Н. Вейс, А.Ю. Рыданов, Н.А. Суворова. ФТП, 27, 701 (1993)
- А.Н. Вейс. ДАН СССР, 289, 1355 (1986)
- А.Н. Вейс, Ю.И. Уханов. ФТП, 10, 1315 (1976)
- И.А. Драбкин, Ю.Я. Елисеева, Г.Ф. Захарюгина, И.В. Нельсон, Ю.И. Равич. ФТП 8, 1947 (1974)
- G. Nimtz, B. Schliht. Narrow Gap Semiconductors (Springer Verlag, Berlin e. a., 1983) v. 98, p. 1
- H. Heinrich. Proc. Int. Summer School on Narrow Gap Semicond. Physics and Applications (Nimes, France, 1979; Springer Verlag, Berlin, 1980) p. 407
- Г.А. Калюжная, К.В. Киселева. Тр. ФИАН, 177, 5 (1987)
- N.J. Panda, G.W. Pratt. Phys. Rev. Lett., 22, 180 (1969)
- Б.А. Волков, О.А. Панкратов. ЖЭТФ, 88, 280 (1985)
- Н.Х. Абрикосов, Л.Е. Шелимова. Полупроводниковые материалы на основе соединений AIVBVI (М., Наука, 1975)
- R.F. Brebrick. J. Phys. Chem. Sol., 18, 116 (1961)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук