Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Непрямые электронные переходы в полупроводниках при рассеянии носителей заряда на дислокациях в квантующем магнитном поле
1Ереванский государственный университет, Ереван, Армения 
Поступила в редакцию: 17 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.
Вычислен коэффициент поглощения света, обусловленный непрямыми электронными переходами в полупроводнике, находящемся в квантующем магнитном поле в предположении, что роль третьего тела играет краевая дислокация. Выявлены характерные для рассмотренного механизма зависимости коэффициента поглощения от частоты света и от величины магнитного поля.
- А.А. Киракосян, М.К. Кумашян, К.А. Мхоян, А.А. Саркисян. Изв. НАН Армении. Физика, 30, 208 (1995)
- E.M. Kazaryan, K.A. Mkhoyan, H.A. Sarkisyan. Thin Sol. Films, 7, 302 (1997)
- В.Л. Бонч-Бруевич, В.Б. Гласко. ФТТ, 3, 36 (1961)
- B. Lax, S. Zwerdling. Progr. Semicond., 5, 221 (1960)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
