Разработана технология формирования гетероструктур n-Ga_xIn_1-xN/p-Si, основанная на совместном пиролизе моноаммиакатов хлоридов галлия и индия, позволяющая получать гетерослои с составом, варьируемым в широких пределах (от GaN до InN). Определены состав и основные электрические и оптические характеристики нитридных пленок. Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур с пленками Ga_xIn_1-xN различного состава. Показано, что анизотипный гетеропереход n-Ga_xIn_1-xN/p-Si является перспективным фоточувствительным элементом для детектирования излучения в видимой части спектрального диапазона. Максимальные значения удельной обнаружительной способности составили D^*=1.2· 10¹¹ Гц^1/2·Вт^-1см при 290 K. Построена зонная диаграмма гетероперехода.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.