Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Излучение квантово-размерных структур InGaAs. II. Форм-фактор однородного уширения

Елисеев П.Г.¹, Акимова И.В.²

¹Временный адрес: Центр высокотехнологичных материалов, Университет Нью-Мексико, Альбукерке, США
²Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 13 октября 1997 г.

Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведен анализ формы спектров спонтанного излучения квантово-размерных структур InGaAs в широком интервале тока при 4.2/ 286 K. Дана интерпретация формы полосы для переходов между низшими подзонами с помощью модифицированного форм-фактора однородного уширения, обсуждается природа его не-лоренцева контура. Обсуждаются свойства семейств функций, представляющих главный переход от лоренцева форм-фактора до гауссова. Они могут быть пригодны для моделирования спектров при не-марковской столкновительной релаксации.

I.V. Akimova, P.G. Eliseev. Proc. SPIE, 2693, 640 (1996)
П.Г. Елисеев, И.В. Акимова. ФТП, 32, вып. 4, 472 (1998)
W.W. Chow, S.W. Koch, M. Sargent, III. Semiconductor Laser Physics (Springer Verlag, Berlin et al., 1994) p. 94
M. Kessler, C. Harder. IEEE J. Quant. Electron., 27, 1812 (1991)
B. Deveaud, F. Clerot, K. Fujivara, K. Mitsunaga. Appl. Phys. Lett., 58, 1485 (1991)
M. Yamanishi, Y. Lee. IEEE J. Quant. Electron., 23, 367 (1987)
T. Ohtoshi, M. Yamanishi. IEEE J. Quant. Electron., 27, 46 (1991)
A. Tomita, A. Suzuki. IEEE J. Quant. Electron., 27, 1630 (1991)
D. Ahn. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 1, 301 (1995).
G. Lasher, F. Stern. Phys. Rev. A, 133, 553 (1964)
F. Stern. In: Semicond. and Semimetals, ed. by R.K. Willardson and A.C. Beer. (1966) v. 2, p. 371.
А.Г. Алексанян, И.А. Полуэктов, Ю.М. Попов. Квант. электрон., 1, 62 (1974)
J. Singh, K.K. Bajaj, S. Chaudhuri. Appl. Phys. Lett., 44, 805 (1984)
M. Asada, Y. Suematsu. IEEE J. Quant. Electron., 21, 434 (1985)
M. Asada, IEEE J. Quant. Electron., 25, 2019 (1989)
P.T. Landsberg, D.J. Robbins. Sol St. Electron., 28, 137 (1985)
C. Weisbuch, B. Winter. Quantum Semiconductor Structures (Academic Press, N. Y., 1991) p. 168
H. Bateman. Table of Integral Transforms (McGraw-Hill Book Co, Inc., N. Y.--Toronto--London, 1954) v. 1

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель