Подпороговые характеристики транзисторов и тиристоров с электростатическим управлением. II. Глубокий планарный затвор
Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.
Построена строгая аналитическая теория блокирующего состояния тиристоров и транзисторов с электростатическим управлением (ТЭУ). Задачи о распределении потенциала в базе, высоте барьера для электронов и вольт-амперной характеристике в подпороговой области решены в квадратурах методом конформных отображений для ТЭУ с произвольной конфигурацией планарного затвора, примыкающего к истоку. Показано, что подпороговые вольт-амперные характеристики ТЭУ имеют универсальный вид, который не зависит от конфигурации затвора. В качестве примера исследован вариант планарного затвора квазиэллиптической формы, соответствующий конфигурациям большинства реальных приборов. В предельных случаях получены простые формулы для коэффициента блокирования и параметров вольт-амперной характеристики в зависимости от геометрических параметров ТЭУ, легирования базы и потенциала затвора.
- А.С. Кюрегян, С.Н. Юрков. ФТП, 32, 249 (1998)
- B.J. Baliga. Modern power devices (Singapore, 1987) p. 132
- А.В. Горбатюк, И.В. Грехов. ФТП, 15, 1353 (1981)
- М.А. Лаврентьев, Б.В. Шабат. Методы теории функций комплексного переменного (М., Наука, 1987)
- А.В. Горбатюк, А.С. Кюрегян. Микроэлектроника, 20, 254 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
