Естественные неоднородности высоты барьера Шоттки
Бондаренко В.Б.1, Кудинов Ю.А.1, Ершов С.Г.1, Кораблев В.В.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 марта 1997 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.
Исследованы естественные неоднородности высоты барьера Шоттки, обусловленные дискретностью заряда примеси, случайно распределенной в обедненной области. В рамках модели параллельных диодов получено, что такие естественные флуктуации эффективной высоты барьера в переходе металл-полупроводник при уровнях легирования меньше или порядка 1018 см-3 в среднем не превышают kT при комнатной температуре.
- H. Palm, M. Arbes, M. Schulz. Phys. Rev. Lett., 71, 2224 (1993)
- B.R. Nad. Electron Transport in Compound Semiconductors (Berlin--Heidelberg--N.Y., 1980)
- R.T. Turn. Appl. Phys. Lett., 58, 2821 (1991)
- J.P. Sullivan, R.T. Tung, M.R. Pinto, W.R. Graham. J. Appl. Phys., 70, 7403 (1991)
- М.Э. Райх, И.М. Рузин. ФТП, 21, 456 (1987)
- Х.Г. Нажмудинов, Т.А. Полянская. ФТП, 21, 1737 (1987)
- В.Б. Бондаренко, Ю.А. Кудинов, С.Г. Ершов, В.В. Кораблев. ФТП, 30, 2068 (1996)
- I. Ordomari, K.N. Tu. J. Appl. Phys., 51, 3735 (1980)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук