Анализ изменений интенсивности собственной люминесценции, происходящих после диффузии меди в полуизолирующие нелегированные кристаллы арсенида галлия
Воробкало Ф.М.1, Глинчук К.Д.1, Прохорович А.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 9 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.
Проанализировано влияние диффузии меди в полуизолирующие нелегированные кристаллы GaAs на интенсивность собственной люминесценции. Показано, что диффузия меди в полуизолирующие нелегированные кристаллы GaAs может приводить как к повышению, так и понижению интенсивности собственной люминесценции. Получены аналитические соотношения, связывающие величину и знак эффекта с рекомбинационными параметрами указанных кристаллов, а также с интенсивностью возбуждения люминесценции.
- C.E. Third, F. Weinberg, L. Young, M. Thewalt. Appl. Phys. Lett., 58, 714 (1991)
- U. Jahn, H. Menniger. Phys. St. Sol. A, 128, 145 (1991)
- К.Д. Глинчук, В.И. Гурошев, А.В. Прохорович. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 24, 66 (1992)
- W.J. Moore, R.J. Henry, J.S. Blakemore. Phys. Rev. B, 46, 7229 (1992)
- Ф.М. Воробкало, К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович. ФТП, 31, 1045 (1997)
- Г.Е. Пикус. Основы теории полупроводниковых приборов (М., 1965)
- Н.М. Литовченко, Л.Г. Шепель. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 29, 108 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук